Samsung LSI for tiden produserer Qualcomm Snapdragon 820 på sitt andre generasjons 14nm LPP FinFET node, og det ser ut som den Sør-koreanske selskapet har vunnet en kontrakt for neste år er 10nm Snapdragon 830 så vel. Det er ifølge Korea er ET av Nyheter, som sier at SoC vil bli brukt i Galaxy S8. Samsung vil trolig beholde samme strategi som det skal følges for Galaxy S7 og S7 kanten, hvor AMERIKANSKE modeller er drevet av Syriner 830, mens den globale versjonen kjører sin kommende Exynos 8895.
Som Snapdragon 830, Samsung ‘ s in-house Exynos 8895 vil også være basert på 10nm produksjonsprosessen. ET News skriver også at Qualcomm og Samsung arbeider med å utvikle en FoPLP (Vifte-ut-Panelet Nivå Pakke) – teknologi som eliminerer behovet for en printed circuit board for pakken substrat som vil bli brukt i Snapdragon 830 og Exynos 8895.
Vi vet ikke mye om enten SoC, men det ser ut som Samsung er ute etter å treffe vesentlig høyere frekvenser ved å flytte til 10nm. En Exynos 8895 lekkasje fra August tyder på Samsung er å treffe 4GHz på dens tilpasset Mongoose kjerne, og nå på 2,7 GHz på Cortex A53 kjerne. Det vil være interessant å se hva slags ytelse gevinster Qualcomm oppnår med sin Kryo CPU gjennomføring.