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I ricercatori hanno sviluppato un nuovo tipo di RAM che utilizza materiali magnetici per migliorare il consumo energetico e l’efficienza.
Memoria ad Accesso casuale (RAM) è un componente chiave nel Pc, telefoni cellulari, tablet, e altri tipi di sistemi di computer che richiedono capacità di memoria. Noto anche come memoria di sistema, la RAM è la chiave per di informazioni per essere memorizzati e recuperati in un PC.
Dynamic random access memory (DRAM), che si trovano comunemente nel Pc personali, richiede anche costante, la tensione applicata o aggiornamenti al fine di mantenere le informazioni memorizzate all’interno.
L’utilizzo di potenza è necessario per archiviare e accedere ai dati, ma secondo i ricercatori di Mosca Istituto di Fisica e Tecnologia (MIPT), una nuova struttura magnetica per la RAM bastoni possono essere in grado di ridurre drasticamente il potere tradizionale RAM richiede.
MIPT scienziati, insieme con i team Kotelnikov Istituto di radiotecnica ed Elettronica (IRE) dell’Accademia russa delle Scienze (RAS) e Internazionali Associato Laboratorio di Critica e Supercritico Fenomeni Funzionali, Elettronica, Acustica, e Fluidica, sono stati in grado di creare magnetico RAM prototipi conseguente “il notevole risparmio di energia.”
“Finora, la RAM la tecnologia è stata avanzando rapidamente, con moduli di memoria sempre più veloce. Tuttavia, questo tipo di memoria ha un limite importante che non può essere superato, vale a dire la sua bassa efficienza,” ha detto il ricercatore principale Sergei Nikitov, vice capo di MIPT Sezione di Fisica dello Stato Solido, Radiophysics Applicata e Tecnologie informatiche. “In questo articolo, vi presentiamo il magnetoelettrici cella di memoria. Esso contribuirà a ridurre il bit-lettura e scrittura di consumo di energia di un fattore di 10.000 o più.”
Lo studio, pubblicato in Fisica Applicata Lettere all’inizio di quest’anno, descrive RAM che utilizza un magnetoelettrici cella di memoria, noto anche come MELRAM, che contiene un materiale piezoelettrico e strati di magnetoelasticity.
Materiali piezoelettrici “deformazione” in risposta alla tensione applicata, ma, di conseguenza, anche di generare una tensione quando si è sotto stress meccanico.
I livelli di magnetoelasticity, organizzato lungo assi diversi, possono essere magnetizzati in due direzioni — che corrispondono alla logica di zeri e di uni utilizzato in DRAM in codice binario. Essi sono quindi in grado di mantenere il loro stato e i dati contenuti all’interno, anche quando l’alimentazione viene interrotta, e non hanno bisogno di essere continuamente riscritti.
MIPT
“A seconda della natura del ceppo, la magnetizzazione assume un particolare orientamento, la memorizzazione delle informazioni,” dice. “La modifica dell’orientamento del campo magnetico dà un aumento della tensione nel campione. Da rilevare questa tensione, lo stato della cella di memoria può essere determinato. Ma l’operazione di lettura potrebbe influenzare la magnetizzazione; pertanto, è necessario impegnarsi di nuovo il valore che è stato letto alla cella di memoria.”
Il team ha creato un prototipo che utilizza questo nuovo, magnetizzato struttura, e ha scoperto che con un pezzo di prova di circa un millimetro di fronte, le celle di memoria lavorato bene e con un minore consumo di energia.
MIPT dice che il design potrebbe essere ridotta ulteriormente, senza alcun impatto sull’efficienza o il consumo di energia, il che rende MELRAM “promettente” per l’hardware del computer che richiede il consumo di energia basso, ma alto di lettura/scrittura dei tassi. Inoltre, le strutture potrebbero agire come modello di nano-dimensioni celle di memoria.
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