Samsung a confirmé aujourd’hui qu’ils ont ajouté 11nm FinFET processus de la technologie pour sa fonderie processus de portefeuille. Le 11LLP (low power plus) offre 15% de meilleures performances et est de 10 pour cent de plus petite taille avec la même consommation d’énergie par rapport à une puce basée sur 14nm.
Samsung affirme que le nouveau processus devrait être prêt d’ici la première moitié de l’année prochaine et répondra à moyen et haut de gamme. L’actuel 10 nm FinFET va encore être ciblée vers les combinés haut de gamme alors que 7nm LPP avec EUV (extreme ultra violet) lithographie technologie est prévue pour le second semestre 2018.
Samsung va partager plus de détails sur sa fonderie de portefeuille chez Samsung Fonderie Forum Japon le 15 septembre à Tokyo.