Samsung heeft vandaag bevestigd dat zij heeft toegevoegd 11nm FinFET proces technologie om de gieterij proces portfolio. De 11LLP (low power plus) biedt 15 procent betere prestaties en is 10 procent kleiner in omvang met hetzelfde stroomverbruik in vergelijking met een chip op basis van 14nm.
Samsung zegt dat het nieuwe proces zal naar verwachting in de eerste helft van volgend jaar en zal tegemoet te komen aan het midden – en high-end apparaten. De huidige 10 nm FinFET nog steeds gericht op premium handsets terwijl 7nm LPP met EUV (extreme ultra violet) lithografie technologie is gepland voor de tweede helft van 2018.
Samsung zal het aandeel meer informatie over de gieterij portfolio van Samsung Gieterij Forum Japan op 15 September in Tokio.