Samsung har indledt masseproduktion af sin høje kapacitet 512GB eUFS (indbygget Universal Flash Storage), der kan anvendes til mobile enheder. Det udnytter Samsungs nyeste 64-lag 512-gigabit (Gb) V-NAND-chips, der hjælper med til drastisk at forbedre ydeevne og kapacitet, der kan bruges i fremtidige smartphones og tablets.
En enkelt 512 GB eUFS chip kan holde til næsten 130 10 min 4K UHD videoer og har en sekventielle læse-og skrivehastigheder på op til 860MB/s og 255MB/s hhv. For tilfældige operationer, den nye eUFS kan læse 42,000 IOPS og skrive på 40.000 IOPS, hvilket gør det til 400 gange hurtigere end en convetional microSD-kort, der har 100 IOPS.
Samsung ‘ s meddelelse af hardware-produktion er ved at oprette pænt med den forestående lancering af Galaxy S9. I sidste uge, har Samsung bekræftet, at masseproduktion af sin 2nd generation 10nm FinFET chip, som også kunne gøre sin vej til den kommende flagskib telefonen.