Samsung navi primi 28 nanometri eMRAM

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Samsung ha iniziato la produzione di massa e la spedizione del suo primo spot pubblicitario eMRAM, sulla base delle sue 28 nanometri full-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) tecnologia di processo, o 28FDS, la società ha annunciato.

MRAM tecnologia non è volatile, il che significa i dati non vengono cancellati anche senza corrente elettrica come NAND Flash, ma è in grado di elaborare i dati come veloce come volatile DRAM, ed è considerato una prossima generazione di tecnologia di memoria.

Il colosso sudcoreano tecnologia, ha detto la sua eMRAM ha velocità di scrittura che sono mille volte più veloce eFlash in quanto non richiede un ciclo di cancellazione prima di scrivere i dati e in grado di superare quest’ultimo i problemi di scalabilità.

Consumo di energia è inferiore in quanto non consumano energia quando spento. FD-SOI tecnologia di processo, come la eMRAM, mette un isolante film sul wafer di silicio per ridurre la potenza di perdita, il conglomerato ha detto.

Il successo è una pietra miliare importante per Samsung, il più grande produttore di chip di memoria, con la società, dicendo sviluppo tecnologico consentirà di estendere il proprio dominio sugli avversari.

La società è stata sfruttando la posizione dominante del suo chip di business-che in precedenza hanno aiutato post profitti record per due anni, offrendo una vasta gamma di prodotti per ampliare la sua quota di mercato in una logica di chip di contratto-making. Offre chip di memoria insieme con i suoi processori come un chip di soluzioni per invogliare i clienti.

Samsung ha anche detto la sua eMRAM modulo può essere facilmente inserito per logica esistente tecnologie come la massa, fin, e FD-SOI a transistor.

La società si attende di eMRAM soluzione per trovare applicazioni in micro unità di controllo, IoT, e AI.

Samsung fonderia ha applicato eMRAM sul system-on-a-chip (SoC), che permetterà di differenziare la propria offerta da parte dei concorrenti.

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