Samsung e IBM hanno progettato una nuova architettura a transistor verticale per semiconduttori che promette un consumo energetico ridotto rispetto ai semiconduttori finFET ridimensionati e potenzialmente apre la strada ai semiconduttori’ futuro seguendo il principio della legge di Moore.
Chiamati transistor ad effetto di campo di trasporto verticale o VTFET, i transistor sono costruiti perpendicolarmente alla superficie del chip con un flusso di corrente verticale o su e giù. Questa è diversa dalla struttura attuale in cui i transistor sono costruiti per giacere piatti sulla superficie di un semiconduttore.
I ricercatori affermano inoltre che questo processo aiuta ad estendere la legge di Moore poiché più transistor sono imballati in uno spazio fisso e si traduce in meno energia sprecata, il che aiuta a ridurre fino all'85% di energia rispetto a opzioni finFET.
Pochi vantaggi di questa svolta sono che le batterie degli smartphone in futuro possono contenere una settimana di carica invece di giorni o il cryptomining può consumare meno energia o ampliare l'uso dei dispositivi IoT.