Bilde: Samsung
Samsung har lansert en ny vertikal NAND (V-NAND) med den høyeste biten tetthet ennå.
Den sørkoreanske teknologigiganten sa tirsdag at den har begynt masseproduksjon av sin niende generasjon V-NAND denne måneden, noe som vil “sette trenden for det høyytelses-, høydensitets-solid-state drive-markedet (SSD) som møter behovene for den kommende AI-generasjonen,"
1-terabit (Tb) trippelnivåcelle (TLC) V-NAND har økt bittetthet med opptil 50 % sammenlignet med åttende generasjon forgjengeren som ble lansert i 2022. Dette ble oppnådd ved at brikken ble laget med den minste cellestørrelsen og den tynneste formen til dags dato, sa Samsung.
Den har også en dobbelstabelstruktur, hvor det er to stabler med vertikalt lagdelte celler i stedet for én. Samsung sa at de brukte kanalhulletsing på disse stablene, der et hull stanses gjennom de lagdelte cellene for å danne elektronbaner, en bragd som er vanskeligere jo flere lag det er.
Selskapet sa at det også fjernet dummy-kanalhull for å redusere overflatearealet til cellene og anvendte teknologier for å redusere celleinterferens og forlenge cellelevetiden.
Niende generasjons V-NAND har også det siste NAND-grensesnittet Toggle 5.1 brukt, som gjør det mulig å ha en datainn-/utgangshastighet på opptil 3,2 Gbps, en økning på 33 % fra forgjengeren, sa Samsung, mens strømforbruket også er redusert med 10 %.
Den støtter også PCIe 5.0-grensesnitt, som har dobbel båndbredde til PCIe 4.0 ved 32GT/s, som Samsung sa at de vil bruke til å sementere sin ledelse i SSD-markedet med høy ytelse.
Mens TLC-modellen allerede er i produksjon, vil Samsung starte masse produksjon av quad-level cell (QLC)-modellen, der en celle kan lagre 4 biter med data, i andre halvdel av året.