Australian-listade minne företaget 4DS har utropat sin ReRAM som att “läsa hastighet jämförbara” med DRAM.
I hjärtat av framsteg är en brist att rätta till fel som måste tillämpas på den ReRAM, 4DS sagt.
“De flesta ny teknik minne har rapporterats att kämpa med sig lite hög felprocent — ofta läsa ut felaktiga uppgifter,” sade företaget.
“I de flesta fall är orsakade av stora slumpmässiga cell nuvarande fluktuationerna. För att på ett tillförlitligt sätt hämta de ursprungliga uppgifterna, komplexa, tidskrävande felkorrigering tekniker behövs, vilket negativt påverkar läsa tillgång till tid och därmed lamslå läsa hastighet.”
4DS VD Dr Guido Arnout berättade ZDNet företaget var inte i närheten av produktion, men med fokus på att skapa ett proof of concept.
“Vi kommer att licensiera det, eller förvärvas så att ett större företag kan ta tekniken till marknaden,” Arnout sagt. “Denna utveckling innebär att vi är på god väg att uppnå detta.
“Som det ser ut idag, 4DS har tagit ett stort steg fram till proof of concept. Dagens banbrytande tillkännagivande kommer att spola ut potentiella partners industrin.”
I oktober förra året meddelade företaget att det hade utvecklats på 40 nanometer resistiv (random access memory ReRAM) och uppvuxen AU$4 miljoner.
Medan flash-minne använder elektrisk laddning, ReRAM använder motstånd för att lagra bitar med spänning att växla mellan olika resistanser.
Utvecklad i samarbete med HGST, 4DS sagt sitt Gränssnitt Byta ReRAM inte använda trådar, och därmed undviker fysiska begränsningar som finns i flash och andra ReRAM samtidigt som den erbjuder låga strömförbrukning.
Tidigare i år, Intel tog wraps av sin första Optane 3D XPoint lagring produkt, som hårdvaran jätte hävdade kunde göra databasen transaktioner upp till 10 gånger snabbare.
För att välja arbetsbelastning, Intel sade att den anser att så mycket som 90 procent av DRAM kan ersättas med Optane Ssd-enheter.
Men Arnout sade på tisdagen att Intels påståenden inte stämmer överens med vad som 4DS tittar på.
“Det största bidraget av Intel är att de antänds loppet till lagring klass minne. Men DRAM-som den här är inte ännu,” sade han.
“Intel hävdar att det har låg latens, men säger inte hur lågt. Vår teknik har matchat DRAM är latens betyg. De hävdar också ganska tydligt hur Optane minne är en ny, separat teknik för DRAM.”
Din sociala data är dömd, och räkna inte med på Facebook för att rädda dig
Din status uppdateringar, dina uppladdade bilder, dina videor, alla av det kommer att vara otillgängliga någon gång i framtiden. Inte bara av dig, men av din säd.