Samsung hat begonnen, die Massenproduktion des high-Kapazität 512 GB eUFS (embedded Universal Flash Storage), die verwendet werden können, für mobile Geräte. Es nutzt Samsung die neuesten 64-Schicht-512-gigabit – (Gb)-V-NAND-chips, die hilft, um drastisch erhöhen die Leistung und Kapazität, die verwendet werden können, in Zukunft smartphones und tablets.
Ein einzelnes 512-GB-eUFS-chip halten kann, fast 130 10 min 4K-UHD-videos und verfügt über eine sequentielle lese-und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 860MB/s und 255MB/s, beziehungsweise. Für zufällige Vorgänge, die neuen eUFS Lesen kann als 42.000 IOPS und Schreibe 40.000 IOPS, was es zu 400-mal schneller als ein convetional microSD-Karte mit 100 IOPS.
Samsung ‘ s Ankündigung, in der hardware-Produktion ist die Einrichtung gut mit dem bevorstehenden launch des Galaxy S9. Letzte Woche, Samsung bestätigt die Massenproduktion seiner 2. generation 10 Nm FinFET-chip, der konnte auch seinen Weg auf das kommende Flaggschiff-Telefon.